#include "sdram.h" #include "delay.h" ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// //本程序只供学习使用，未经作者许可，不得用于其它任何用途 //ALIENTEK STM32F429开发板 //SDRAM驱动代码 //正点原子@ALIENTEK //技术论坛:www.openedv.com //创建日期:2016/1/6 //版本：V1.0 //版权所有，盗版必究。 //Copyright(C) 广州市星翼电子科技有限公司 2014-2024 //All rights reserved ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// SDRAM_HandleTypeDef SDRAM_Handler; //SDRAM句柄 //SDRAM初始化 void SDRAM_Init(void) { FMC_SDRAM_TimingTypeDef SDRAM_Timing; SDRAM_Handler.Instance=FMC_SDRAM_DEVICE; //SDRAM在BANK5,6 SDRAM_Handler.Init.SDBank=FMC_SDRAM_BANK1; //SDRAM接在BANK5上 SDRAM_Handler.Init.ColumnBitsNumber=FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9; //列数量 SDRAM_Handler.Init.RowBitsNumber=FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13; //行数量 SDRAM_Handler.Init.MemoryDataWidth=FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_16; //数据宽度为16位 SDRAM_Handler.Init.InternalBankNumber=FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4; //一共4个BANK SDRAM_Handler.Init.CASLatency=FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3; //CAS为3 SDRAM_Handler.Init.WriteProtection=FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;//失能写保护 SDRAM_Handler.Init.SDClockPeriod=FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2; //SDRAM时钟为HCLK/2=180M/2=90M=11.1ns SDRAM_Handler.Init.ReadBurst=FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE; //使能突发 SDRAM_Handler.Init.ReadPipeDelay=FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1; //读通道延时 SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay=2; //加载模式寄存器到激活时间的延迟为2个时钟周期 SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay=8; //退出自刷新延迟为8个时钟周期 SDRAM_Timing.SelfRefreshTime=6; //自刷新时间为6个时钟周期 SDRAM_Timing.RowCycleDelay=6; //行循环延迟为6个时钟周期 SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime=2; //恢复延迟为2个时钟周期 SDRAM_Timing.RPDelay=2; //行预充电延迟为2个时钟周期 SDRAM_Timing.RCDDelay=2; //行到列延迟为2个时钟周期 HAL_SDRAM_Init(&SDRAM_Handler,&SDRAM_Timing); SDRAM_Initialization_Sequence(&SDRAM_Handler);//发送SDRAM初始化序列 } //发送SDRAM初始化序列 void SDRAM_Initialization_Sequence(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram) { u32 temp=0; //SDRAM控制器初始化完成以后还需要按照如下顺序初始化SDRAM SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE,1,0); //时钟配置使能 delay_us(500); //至少延时200us SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_PALL,1,0); //对所有存储区预充电 SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE,8,0);//设置自刷新次数 //配置模式寄存器,SDRAM的bit0~bit2为指定突发访问的长度， //bit3为指定突发访问的类型，bit4~bit6为CAS值，bit7和bit8为运行模式 //bit9为指定的写突发模式，bit10和bit11位保留位 temp=(u32)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1 | //设置突发长度:1(可以是1/2/4/8) SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL | //设置突发类型:连续(可以是连续/交错) SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3 | //设置CAS值:3(可以是2/3) SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD | //设置操作模式:0,标准模式 SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE; //设置突发写模式:1,单点访问 SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE,1,temp); //设置SDRAM的模式寄存器 //刷新频率计数器(以SDCLK频率计数),计算方法: //COUNT=SDRAM刷新周期/行数-20=SDRAM刷新周期(us)*SDCLK频率(Mhz)/行数 //我们使用的SDRAM刷新周期为64ms,SDCLK=180/2=90Mhz,行数为8192(2^13). //所以,COUNT=64*1000*90/8192-20=683 HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&SDRAM_Handler,683); } //SDRAM底层驱动，引脚配置，时钟使能 //此函数会被HAL_SDRAM_Init()调用 //hsdram:SDRAM句柄 void HAL_SDRAM_MspInit(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram) { GPIO_InitTypeDef GPIO_Initure; __HAL_RCC_FMC_CLK_ENABLE(); //使能FMC时钟 __HAL_RCC_GPIOC_CLK_ENABLE(); //使能GPIOC时钟 __HAL_RCC_GPIOD_CLK_ENABLE(); //使能GPIOD时钟 __HAL_RCC_GPIOE_CLK_ENABLE(); //使能GPIOE时钟 __HAL_RCC_GPIOF_CLK_ENABLE(); //使能GPIOF时钟 __HAL_RCC_GPIOG_CLK_ENABLE(); //使能GPIOG时钟 GPIO_Initure.Pin=GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_3; GPIO_Initure.Mode=GPIO_MODE_AF_PP; //推挽复用 GPIO_Initure.Pull=GPIO_PULLUP; //上拉 GPIO_Initure.Speed=GPIO_SPEED_HIGH; //高速 GPIO_Initure.Alternate=GPIO_AF12_FMC; //复用为FMC HAL_GPIO_Init(GPIOC,&GPIO_Initure); //初始化PC0,2,3 GPIO_Initure.Pin=GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_9|GPIO_PIN_10|GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15; HAL_GPIO_Init(GPIOD,&GPIO_Initure); //初始化PD0,1,8,9,10,14,15 GPIO_Initure.Pin=GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_7|GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_9|GPIO_PIN_10| GPIO_PIN_11|GPIO_PIN_12|GPIO_PIN_13|GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15; HAL_GPIO_Init(GPIOE,&GPIO_Initure); //初始化PE0,1,7,8,9,10,11,12,13,14,15 GPIO_Initure.Pin=GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_3|GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_11|GPIO_PIN_12|GPIO_PIN_13|GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15; HAL_GPIO_Init(GPIOF,&GPIO_Initure); //初始化PF0,1,2,3,4,5,11,12,13,14,15 GPIO_Initure.Pin=GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_15; HAL_GPIO_Init(GPIOG,&GPIO_Initure); //初始化PG0,1,2,4,5,8,15 } //向SDRAM发送命令 //bankx:0,向BANK5上面的SDRAM发送指令 // 1,向BANK6上面的SDRAM发送指令 //cmd:指令(0,正常模式/1,时钟配置使能/2,预充电所有存储区/3,自动刷新/4,加载模式寄存器/5,自刷新/6,掉电) //refresh:自刷新次数 //regval:模式寄存器的定义 //返回值:0,正常;1,失败. u8 SDRAM_Send_Cmd(u8 bankx,u8 cmd,u8 refresh,u16 regval) { u32 target_bank=0; FMC_SDRAM_CommandTypeDef Command; if(bankx==0) target_bank=FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1; else if(bankx==1) target_bank=FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2; Command.CommandMode=cmd; //命令 Command.CommandTarget=target_bank; //目标SDRAM存储区域 Command.AutoRefreshNumber=refresh; //自刷新次数 Command.ModeRegisterDefinition=regval; //要写入模式寄存器的值 if(HAL_SDRAM_SendCommand(&SDRAM_Handler,&Command,0X1000)==HAL_OK) //向SDRAM发送命令 { return 0; } else return 1; } //在指定地址(WriteAddr+Bank5_SDRAM_ADDR)开始,连续写入n个字节. //pBuffer:字节指针 //WriteAddr:要写入的地址 //n:要写入的字节数 void FMC_SDRAM_WriteBuffer(u8 *pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n) { for(;n!=0;n--) { *(vu8*)(Bank5_SDRAM_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer; WriteAddr++; pBuffer++; } } //在指定地址((WriteAddr+Bank5_SDRAM_ADDR))开始,连续读出n个字节. //pBuffer:字节指针 //ReadAddr:要读出的起始地址 //n:要写入的字节数 void FMC_SDRAM_ReadBuffer(u8 *pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n) { for(;n!=0;n--) { *pBuffer++=*(vu8*)(Bank5_SDRAM_ADDR+ReadAddr); ReadAddr++; } }